METHOD AND DEVICE FOR LITHOGRAPHICALLY PRODUCING A TARGET STRUCTURE ON A NON-PLANAR INITIAL STRUCTURE

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur lithographischen Erzeugung einer Zielstruktur (030) an einer nicht-planaren Ausgangsstruktur (010) durch Belichten eines Photoresists (100) mittels mindestens eines Lithographiestrahls (060). Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: a) Erfassen einer Topographie (020) einer Oberfläche einer nicht-planaren Ausgangsstruktur (010); b) Verwenden mindestens eines Test-Parameters für den Lithographiestrahl (060) und Ermitteln einer Wechselwirkung des Lithographiestrahls (060) mit der Ausgangsstruktur (010) sowie der hierdurch hervorgerufenen Veränderung des Lithographiestrahls (060) und/oder der zu erzeugenden Zielstruktur (030); c) Bestimmen mindestens eines Korrektur-Parameters für den Lithographiestrahl (060) derart, dass die durch die Wechselwirkung des Lithographiestrahls (060) mit der Ausgangsstruktur (010) verursachte Veränderung des Lithographiestrahls (060) und/oder der zu erzeugenden Zielstruktur (030) verringert wird; und d) Erzeugen der gewünschten Zielstruktur (030) an der Ausgangsstruktur (010) durch Belichten des Photoresists (100) mittels des mindestens einen Lithographiestrahls (060) unter Verwendung des mindestens einen Korrektur-Parameters für den Lithographiestrahl (060). Das Verfahren und die Vorrichtung ermöglichen die lithographische Erzeugung von hochaufgelösten, dreidimensionalen Zielstrukturen (030) mit hoher Präzision an bereits bestehenden nicht-planaren Ausgangsstrukturen (010). The invention relates to a method and to a device for lithographically producing a target structure (030) on a non-planar initial structure (010) by irradiating a photoresist (100) with at least one lithography beam (060). The method comprises the following steps: a) sensing the topography (020) of a surface of a non-planar initial structure (010); b) using at least one test parameter for the lithography beam (060) and determining the interaction of the lithography beam (060) with the initial structure (010) and the change caused thereby in the lithography beam (060) and/or in the target structure (030) to be produced; c) determining at least one correction parameter for the lithography beam (060) in such a way that the change in the lithography beam (060) and/or in the target structure (030) to be produced caused by the interaction of the lithography beam (060) with the initial structure (010) is reduced; and d) producing the desire target structure (030) on the initial structure (010) by irr