A FOCUS CENTERING METHOD FOR DIGITAL LITHOGRAPHY

Embodiments disclosed herein generally relate to adjusting a focus setting for a digital lithography system. The method includes scanning a surface of a photoresist. The photoresist is formed on a substrate. A focus setting for the digital lithography system is determined. A plurality of exposure location on the photoresist are located. A sidewall width of the exposure is measured for a plurality of focus settings. The focus setting is adjusted in response to determining a minimum sidewall width. La présente invention porte, de manière générale, dans des modes de réalisation, sur le réglage d'un paramètre de mise au point pour un système de lithographie numérique. Le procédé consiste à balayer une surface d'une résine photosensible. La résine photosensible est formée sur un substrat. Un réglage de mise au point pour le système de lithographie numérique est déterminé. Une pluralité d'emplacements d'exposition sur la résine photosensible sont situés. Une largeur de paroi latérale de l'exposition est mesurée pour une pluralité de réglages de mise au point. Le réglage de mise au point est ajusté à la suite de la détermination d'une largeur de paroi latérale minimale.