IMPROVED METHOD FOR COMPUTER MODELING AND SIMULATION OF NEGATIVE-TONE-DEVELOPABLE PHOTORESISTS

In some embodiments, a method may include improving a development process of a photoresist. The method may include simulating a negative-tone development process of a photoresist. The method may include determining a reaction of a developer with a soluble photoresist surface. Determining the reaction of the developer may include applying a reaction rate constant at a power of a reaction order to a blocked polymer concentration to yield a resist dissolution rate of soluble resist comprising the dissolution-limited regime of development. The method may include determining a flux of the developer into exposed and partially soluble resist. Determining the flux of the developer may include applying a vector valued diffusion coefficient of the developer dependent upon the blocked polymer concentration to a gradient of developer concentration to an expansion rate of insoluble resist comprising the expansion-controlled regime of development. The method may include optimizing an illumination source and a mask on a full chip. Selon certains modes de réalisation de la présente invention, un procédé peut consister à améliorer un processus de développement d'une photorésine. Le procédé peut consister à simuler un processus de développement de ton négatif d'une photorésine. Le procédé peut consister à déterminer une réaction d'un révélateur avec une surface de photorésine soluble. La détermination de la réaction du révélateur peut consister à appliquer une constante de vitesse de réaction à une puissance d'un ordre de réaction à une concentration de polymère bloquée en vue de produire un taux de dissolution de résine de résine soluble comprenant le régime de développement limité par dissolution. Le procédé peut consister à déterminer un flux du révélateur dans une résine exposée et partiellement soluble. La détermination du flux du révélateur peut consister à appliquer un coefficient de diffusion à valeur vectorielle du révélateur en fonction de la concentration de polymère bloquée à un gradient de concentration de révélateur à un taux d'expansion de résine insoluble comprenant le régime de développement commandé par expansion. Le procédé peut consister à optimiser une source d'éclairage et un masque sur une puce complète.