INTRODUCTION DEVICE FOR MANUF+ACTURING SILICON SEMICONDUCTOR INGOT, AND DOPING METHOD

An introduction device for manufacturing a silicon semiconductor ingot according to the present invention includes: a body part in which a lower portion thereof is open and an accommodating space is formed inside; and a door part that is provided in the opened lower portion of the body part, and can be selectively opened and closed, wherein a contamination-resistant coating is formed on at least a portion of the inner surface of the body part and the inner surface of the door part, which are exposed toward the accommodating space, and a heat-resistant coating is formed on the outer surface of the door part. In addition, a doping method according to the present invention comprises the steps of: stacking a dopant layer made of a dopant in an accommodating space of an introduction device that includes a body part in which a lower portion thereof is open and the accommodating space is formed inside, and a door part that is provided in the opened lower portion of the body part and can be selectively opened and closed; stacking a cover layer, made of a solid semiconductor raw material, on the dopant layer; placing the introduction device over a fused semiconductor raw material, at a preset height; and introducing the dopant layer and the cover layer, while maintaining the stacked state, onto the fused semiconductor raw materials by opening the door part of the introduction device. Un dispositif d'introduction pour la fabrication d'un lingot de silicium semi-conducteur selon la présente invention comprend : une partie de corps dans laquelle une portion inférieure de celui-ci est ouverte et un espace de réception est formé à l'intérieur; et une partie de porte qui est disposée dans la portion inférieure ouverte de la partie de corps, et qui peut être ouverte et fermée sélectivement, un revêtement résistant à la contamination étant formé sur au moins une portion de la surface interne de la partie de corps et sur la surface interne de la partie de porte, qui sont exposées vers l'espace de réception, et un revêtement résistant à la chaleur est formé sur la surface externe de la partie de porte En outre, un procédé de dopage selon la présente invention comprend les étapes consistant à: l'empilement d'une couche de dopant constituée d'un dopant dans un espace de réception d'un dispositif d'introduction qui comprend une partie de corps dans laquelle une partie inférieure de celui-ci est ouverte et l'espace de réception est formé à l'intérieur, et une partie de porte qui