THIN FILM TRANSISTOR, GATE DRIVE ON ARRAY AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME, AND FABRICATING METHOD THEREOF

The present application discloses a thin film transistor including a base substrate; an active layer on the base substrate having a first semiconductor region, a second semiconductor region, and a plurality of semiconductor bridges each of which connecting the first semiconductor region and the second semiconductor region; the plurality of semiconductor bridges spaced apart from each other; the active layer being made of a material including M1OaNb, wherein M1 is a single metal or a combination of metals, a > 0, and b ≥ 0; an etch stop layer on a side of the active layer distal to the base substrate; the first semiconductor region having a first non-overlapping portion, a projection of which is outside that of the etch stop layer in plan view of the base substrate; the second semiconductor region having a second non-overlapping portion, a projection of which is outside that of the etch stop layer in plan view of the base substrate; a first electrode on a side of the first non-overlapping portion distal to the base substrate; and a second electrode on a side of the second non-overlapping portion distal to the base substrate. La présente invention concerne un transistor à couche mince comprenant un substrat de base; une couche active sur le substrat de base ayant une première région semi-conductrice, une seconde région semi-conductrice, et une pluralité de ponts semi-conducteurs connectant chacun la première région semi-conductrice et la seconde région semi-conductrice; la pluralité de ponts à semi-conducteurs étant espacés les uns des autres; la couche active étant constituée d'un matériau comprenant M1O a N b , où M1 est un métal unique ou une combinaison de métaux, a>0, et b ≥ 0; une couche d'arrêt de gravure sur un côté de la couche active distale par rapport au substrat de base; la première région semi-conductrice ayant une première portion non chevauchante, dont une projection est à l'extérieur de celle de la couche d'arrêt de gravure dans une vue en plan du substrat de base; la seconde région de semi-conducteur ayant une seconde portion non chevauchante, dont une projection est à l'extérieur de celle de la couche d'arrêt de gravure dans une vue en plan du substrat de base; une première électrode sur un côté de la première portion non chevauchante distale par rapport au substrat de base; et une seconde électrode sur un côté de la seconde portion non chevauchante distale par rapport au substrat de base.