SCHOTTKY DIODES USING CMOS TECHNOLOGY
A Schottky diode may be manufactured using complementary metal oxide semiconductor (CMOS) techniques. The Schottky diode may include a shallow trench isolation region confining/bounding the outer perimeter region of the Schottky diode, a ohmic contact patterned onto a doped implant region formed in...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!