SCHOTTKY DIODES USING CMOS TECHNOLOGY

A Schottky diode may be manufactured using complementary metal oxide semiconductor (CMOS) techniques. The Schottky diode may include a shallow trench isolation region confining/bounding the outer perimeter region of the Schottky diode, a ohmic contact patterned onto a doped implant region formed in a semiconductor substrate and a Schottky contact patterned onto the semiconductor substrate. The Schottky contact is spaced a distance from the doped implant region and a semiconductor separation region exists between the Schottky contact and the doped implant region. L'invention concerne une diode de Schottky susceptible d'être fabriquée en utilisant des techniques de semi-conducteurs à oxydes métalliques complémentaires (CMOS). La diode de Schottky peut comprendre une région d'isolation en tranchée peu profonde confinant/délimitant la région de périmètre extérieur de la diode de Schottky, un contact ohmique tracé par-dessus une région d'implantation dopée formée dans un substrat semi-conducteur et un contact de Schottky tracé par-dessus le substrat semi-conducteur. Le contact de Schottky est espacé d'une certaine distance par rapport à la région d'implantation dopée et une région de séparation de semi-conducteurs existe entre le contact de Schottky et la région d'implantation dopée.