CONTAMINANT REMOVAL IN ULTRA-THIN SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION
A chemical solution cleaning process for (400) removing backside contamination prior to metallization involves selective chemistries of a mixture containing NH4OH and H2O2 that may be diluted to specific concentrations depending upon the topside metal and passivation of a semiconductor wafer, which...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | A chemical solution cleaning process for (400) removing backside contamination prior to metallization involves selective chemistries of a mixture containing NH4OH and H2O2 that may be diluted to specific concentrations depending upon the topside metal and passivation of a semiconductor wafer, which is applied (412) after removing (410) a topside protection material to protect the topside circuitry.
Un procédé de nettoyage par solution chimique destiné à (400) éliminer la contamination arrière avant la métallisation implique des produits chimiques sélectifs d'un mélange contenant NH4OH et H2O2 qui peut être dilué à des concentrations spécifiques en fonction du métal côté supérieur et de la passivation d'une tranche de semi-conducteur, qui est appliqué (412) après l'élimination (410) d'un matériau de protection côté supérieur pour protéger l'ensemble de circuits côté supérieur. |
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