AMORPHOUS THIN FILM STACK

An amorphous thin film stack can include a first layer including a combination metals or metalloids including: 5 at% to 90 at% of a metalloid; 5 at% to 90 at% of a first metal and a second metal independently selected from titanium, vanadium, chromium, iron, cobalt, nickel, niobium, molybdenum, ruthenium, rhodium, palladium, tantalum, tungsten, osmium, iridium, or platinum. The three elements may account for at least 70 at% of the amorphous thin film stack. The stack can further include a second layer formed on a surface of the first layer. The second layer can be an oxide layer, a nitride layer, or a combination thereof. The second layer can have an average thickness of 10 angstroms to 200 microns and a thickness variance no greater than 15% of the average thickness of the second layer. Selon l'invention, un empilement de couches minces amorphes peut comporter une première couche comprenant une combinaison de métaux ou de métalloïdes comprenant : 5 % atomique à 90 % atomique d'un métalloïde; 5 % atomique à 90 % atomique d'un premier métal et d'un second métal indépendamment sélectionnés parmi titane, vanadium, chrome, fer, cobalt, nickel, niobium, molybdène, ruthénium, rhodium, palladium, tantale, tungstène, osmium, iridium ou platine. Les trois éléments représentent au moins 70 % atomique de la couche mince métallique amorphe. L'empilement peut en outre comprendre une seconde couche formée sur une surface de la première couche. La seconde couche peut être une couche d'oxyde, une couche de nitrure ou une combinaison de celles-ci. La seconde couche peut présenter une épaisseur moyenne de 10 angströms à 200 microns et une variation d'épaisseur inférieure ou égale à 15 % de l'épaisseur moyenne de la seconde couche.