INTEGRATION OF MONOLAYER GRAPHENE WITH A SEMICONDUCTOR DEVICE

The integration of monolayer graphene with a semiconductor device for gas sensing applications involves obtaining a CMOS device that is prepared to receive monolayer graphene channels. After population of the monolayer graphene channels on the CMOS device, electrical contacts are formed at each end of the monolayer graphene channels with interconnect vias having sidewalls angled at less then 90º. Additional metallization pads are added at the location of the monolayer graphene channels to improve planarity and reliability of the semiconductor processing involved. La présente invention concerne l'intégration de graphène monocouche dans un dispositif à semi-conducteur pour des applications de détection de gaz, cette intégration consistant en l'obtention d'un dispositif CMOS qui est préparé pour recevoir des canaux de graphène monocouche. Après la population des canaux de graphène monocouche sur le dispositif CMOS, des contacts électriques sont formés à chaque extrémité des canaux de graphène monocouche avec des trous d'interconnexion ayant des parois latérales inclinées à moins de 90°. Des plots de métallisation supplémentaires sont ajoutés à l'emplacement des canaux de graphène monocouche afin d'améliorer la planéité et la fiabilité du traitement de semi-conducteurs impliqué.