POWER STAGE FOR A DC-DC CONVERTER
In described examples, a power stage for a DC-to-DC voltage converter (200) includes a voltage input, a high-side n-channel transistor (210), a high-side p-channel transistor (215), and a low-side n-channel transistor (220). The voltage input is couplable to a supply voltage (205). A drain terminal...
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Format: | Patent |
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creator | VEERAMREDDI, Srinivas, Venkata SUBRAMANIAM, Marugesh, Prasanth |
description | In described examples, a power stage for a DC-to-DC voltage converter (200) includes a voltage input, a high-side n-channel transistor (210), a high-side p-channel transistor (215), and a low-side n-channel transistor (220). The voltage input is couplable to a supply voltage (205). A drain terminal of the high-side n-channel transistor (210) is coupled to the voltage input, and a source terminal of the high-side n-channel transistor (210) is coupled to a first node that is couplable to an output stage of the DC-to-DC converter (200). A source terminal of the high-side p-channel transistor (215) is coupled to the voltage input, and a drain terminal of the high-side p-channel transistor (215) is coupled to the first node. A drain terminal of the low-side n-channel transistor (220) is coupled to the first node, and a source terminal of the low-side n-channel transistor (220) is coupled to a ground.
Dans des exemples décrits, l'invention concerne un étage de puissance pour un convertisseur de tension continu-continu (200), qui comprend une entrée de tension, un transistor à canal n côté haut (210), un transistor à canal p côté haut (215) et un transistor à canal n côté bas (220). L'entrée de tension peut être couplée à une tension d'alimentation (205). Une borne de drain du transistor à canal n côté haut (210) est couplée à l'entrée de tension, et une borne de source du transistor à canal n côté haut (210) est couplée à un premier nœud qui peut être couplé à un étage de sortie du convertisseur continu-continu (200). Une borne de source du transistor à canal p côté haut (215) est couplée à l'entrée de tension, et une borne de drain du transistor à canal p côté haut (215) est couplée au premier nœud. Une borne de drain du transistor à canal n côté bas (220) est couplée au premier nœud, et une borne de source du transistor à canal n côté bas (220) est couplée à la masse. |
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Dans des exemples décrits, l'invention concerne un étage de puissance pour un convertisseur de tension continu-continu (200), qui comprend une entrée de tension, un transistor à canal n côté haut (210), un transistor à canal p côté haut (215) et un transistor à canal n côté bas (220). L'entrée de tension peut être couplée à une tension d'alimentation (205). Une borne de drain du transistor à canal n côté haut (210) est couplée à l'entrée de tension, et une borne de source du transistor à canal n côté haut (210) est couplée à un premier nœud qui peut être couplé à un étage de sortie du convertisseur continu-continu (200). Une borne de source du transistor à canal p côté haut (215) est couplée à l'entrée de tension, et une borne de drain du transistor à canal p côté haut (215) est couplée au premier nœud. Une borne de drain du transistor à canal n côté bas (220) est couplée au premier nœud, et une borne de source du transistor à canal n côté bas (220) est couplée à la masse.</description><language>eng ; fre</language><subject>APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS ; CONTROL OR REGULATION THEREOF ; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER ; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER ; ELECTRICITY ; GENERATION</subject><creationdate>2017</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20171123&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2017201533A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25544,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20171123&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2017201533A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>VEERAMREDDI, Srinivas, Venkata</creatorcontrib><creatorcontrib>SUBRAMANIAM, Marugesh, Prasanth</creatorcontrib><title>POWER STAGE FOR A DC-DC CONVERTER</title><description>In described examples, a power stage for a DC-to-DC voltage converter (200) includes a voltage input, a high-side n-channel transistor (210), a high-side p-channel transistor (215), and a low-side n-channel transistor (220). The voltage input is couplable to a supply voltage (205). A drain terminal of the high-side n-channel transistor (210) is coupled to the voltage input, and a source terminal of the high-side n-channel transistor (210) is coupled to a first node that is couplable to an output stage of the DC-to-DC converter (200). A source terminal of the high-side p-channel transistor (215) is coupled to the voltage input, and a drain terminal of the high-side p-channel transistor (215) is coupled to the first node. A drain terminal of the low-side n-channel transistor (220) is coupled to the first node, and a source terminal of the low-side n-channel transistor (220) is coupled to a ground.
Dans des exemples décrits, l'invention concerne un étage de puissance pour un convertisseur de tension continu-continu (200), qui comprend une entrée de tension, un transistor à canal n côté haut (210), un transistor à canal p côté haut (215) et un transistor à canal n côté bas (220). L'entrée de tension peut être couplée à une tension d'alimentation (205). Une borne de drain du transistor à canal n côté haut (210) est couplée à l'entrée de tension, et une borne de source du transistor à canal n côté haut (210) est couplée à un premier nœud qui peut être couplé à un étage de sortie du convertisseur continu-continu (200). Une borne de source du transistor à canal p côté haut (215) est couplée à l'entrée de tension, et une borne de drain du transistor à canal p côté haut (215) est couplée au premier nœud. Une borne de drain du transistor à canal n côté bas (220) est couplée au premier nœud, et une borne de source du transistor à canal n côté bas (220) est couplée à la masse.</description><subject>APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS</subject><subject>CONTROL OR REGULATION THEREOF</subject><subject>CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER</subject><subject>CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERATION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2017</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFAM8A93DVIIDnF0d1Vw8w9ScFRwcdZ1cVZw9vcLcw0KcQ3iYWBNS8wpTuWF0twMym6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx4f5GBobmQGxqbOxoaEycKgBy-SKk</recordid><startdate>20171123</startdate><enddate>20171123</enddate><creator>VEERAMREDDI, Srinivas, Venkata</creator><creator>SUBRAMANIAM, Marugesh, Prasanth</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20171123</creationdate><title>POWER STAGE FOR A DC-DC CONVERTER</title><author>VEERAMREDDI, Srinivas, Venkata ; SUBRAMANIAM, Marugesh, Prasanth</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2017201533A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2017</creationdate><topic>APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS</topic><topic>CONTROL OR REGULATION THEREOF</topic><topic>CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER</topic><topic>CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GENERATION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>VEERAMREDDI, Srinivas, Venkata</creatorcontrib><creatorcontrib>SUBRAMANIAM, Marugesh, Prasanth</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>VEERAMREDDI, Srinivas, Venkata</au><au>SUBRAMANIAM, Marugesh, Prasanth</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>POWER STAGE FOR A DC-DC CONVERTER</title><date>2017-11-23</date><risdate>2017</risdate><abstract>In described examples, a power stage for a DC-to-DC voltage converter (200) includes a voltage input, a high-side n-channel transistor (210), a high-side p-channel transistor (215), and a low-side n-channel transistor (220). The voltage input is couplable to a supply voltage (205). A drain terminal of the high-side n-channel transistor (210) is coupled to the voltage input, and a source terminal of the high-side n-channel transistor (210) is coupled to a first node that is couplable to an output stage of the DC-to-DC converter (200). A source terminal of the high-side p-channel transistor (215) is coupled to the voltage input, and a drain terminal of the high-side p-channel transistor (215) is coupled to the first node. A drain terminal of the low-side n-channel transistor (220) is coupled to the first node, and a source terminal of the low-side n-channel transistor (220) is coupled to a ground.
Dans des exemples décrits, l'invention concerne un étage de puissance pour un convertisseur de tension continu-continu (200), qui comprend une entrée de tension, un transistor à canal n côté haut (210), un transistor à canal p côté haut (215) et un transistor à canal n côté bas (220). L'entrée de tension peut être couplée à une tension d'alimentation (205). Une borne de drain du transistor à canal n côté haut (210) est couplée à l'entrée de tension, et une borne de source du transistor à canal n côté haut (210) est couplée à un premier nœud qui peut être couplé à un étage de sortie du convertisseur continu-continu (200). Une borne de source du transistor à canal p côté haut (215) est couplée à l'entrée de tension, et une borne de drain du transistor à canal p côté haut (215) est couplée au premier nœud. Une borne de drain du transistor à canal n côté bas (220) est couplée au premier nœud, et une borne de source du transistor à canal n côté bas (220) est couplée à la masse.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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