POWER STAGE FOR A DC-DC CONVERTER

In described examples, a power stage for a DC-to-DC voltage converter (200) includes a voltage input, a high-side n-channel transistor (210), a high-side p-channel transistor (215), and a low-side n-channel transistor (220). The voltage input is couplable to a supply voltage (205). A drain terminal...

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Hauptverfasser: VEERAMREDDI, Srinivas, Venkata, SUBRAMANIAM, Marugesh, Prasanth
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:In described examples, a power stage for a DC-to-DC voltage converter (200) includes a voltage input, a high-side n-channel transistor (210), a high-side p-channel transistor (215), and a low-side n-channel transistor (220). The voltage input is couplable to a supply voltage (205). A drain terminal of the high-side n-channel transistor (210) is coupled to the voltage input, and a source terminal of the high-side n-channel transistor (210) is coupled to a first node that is couplable to an output stage of the DC-to-DC converter (200). A source terminal of the high-side p-channel transistor (215) is coupled to the voltage input, and a drain terminal of the high-side p-channel transistor (215) is coupled to the first node. A drain terminal of the low-side n-channel transistor (220) is coupled to the first node, and a source terminal of the low-side n-channel transistor (220) is coupled to a ground. Dans des exemples décrits, l'invention concerne un étage de puissance pour un convertisseur de tension continu-continu (200), qui comprend une entrée de tension, un transistor à canal n côté haut (210), un transistor à canal p côté haut (215) et un transistor à canal n côté bas (220). L'entrée de tension peut être couplée à une tension d'alimentation (205). Une borne de drain du transistor à canal n côté haut (210) est couplée à l'entrée de tension, et une borne de source du transistor à canal n côté haut (210) est couplée à un premier nœud qui peut être couplé à un étage de sortie du convertisseur continu-continu (200). Une borne de source du transistor à canal p côté haut (215) est couplée à l'entrée de tension, et une borne de drain du transistor à canal p côté haut (215) est couplée au premier nœud. Une borne de drain du transistor à canal n côté bas (220) est couplée au premier nœud, et une borne de source du transistor à canal n côté bas (220) est couplée à la masse.