SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT
A switching element including: a bottom insulating layer disposed at a bottom of a trench; a side surface insulating film covering a side surface of the trench; and a gate electrode disposed inside the trench and insulated from a semiconductor substrate. The semiconductor substrate has a bottom regi...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | A switching element including: a bottom insulating layer disposed at a bottom of a trench; a side surface insulating film covering a side surface of the trench; and a gate electrode disposed inside the trench and insulated from a semiconductor substrate. The semiconductor substrate has a bottom region and a connection region. The bottom region is in contact with the bottom insulating layer. The connection region is in contact with the bottom insulating layer and the side surface insulating film, and connects a body region to the bottom region. An area of the connection region in which the bottom insulating layer contacts to the connection region includes an area with lower a second conductivity-type impurity concentration than a minimum value of the second conductivity-type impurity concentration in an area of the connection region in which the side surface insulating film contacts the connection region.
L'invention concerne un élément de commutation comprenant : une couche isolante inférieure, placée au fond d'une tranchée ; un film isolant de surface latérale recouvrant une surface latérale de la tranchée ; et une électrode de grille, placée à l'intérieur de la tranchée et qui est isolée par rapport à un substrat semi-conducteur. Le substrat semi-conducteur comporte une région inférieure et une région de connexion. La région inférieure est en contact avec la couche isolante inférieure. La région de connexion est en contact avec la couche isolante inférieure et le film isolant de surface latérale, et relie une région de corps à la région inférieure. Une zone de la région de connexion, dans laquelle la couche isolante inférieure est en contact avec la région de connexion, comprend une zone dont la concentration d'impuretés d'un second type de conductivité est inférieure à une valeur minimale de la concentration d'impuretés du second type de conductivité dans une zone de la région de connexion, dans laquelle le film isolant de surface latérale est en contact avec la région de connexion. |
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