ROBUST LOW INDUCTANCE POWER MODULE PACKAGE
A method and system for a power module is provided. The power module includes a first substrate (102) including a first conductive substrate (114) having a first plurality of power semiconductor switches (122) arranged thereon, and at least one second conductive substrate (116) electrically coupled...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A method and system for a power module is provided. The power module includes a first substrate (102) including a first conductive substrate (114) having a first plurality of power semiconductor switches (122) arranged thereon, and at least one second conductive substrate (116) electrically coupled to the first conductive substrate. A first terminal (108) is electrically coupled to the first conductive substrate. The power module also includes a second substrate (110) including a third conductive substrate (130) having a second plurality of power semiconductor switches (136) arranged thereon, and at least one fourth conductive substrate (132) electrically coupled to the third conductive substrate. The third conductive substrate is electrically coupled to the second conductive substrate. A second terminal (112) is electrically coupled to the fourth conductive substrate.
L'invention concerne un procédé et un système destinés à un module de puissance. Le module de puissance comprend un premier substrat (102) comprenant un premier substrat conducteur (114), sur lequel une première pluralité de commutateurs à semi-conducteur de puissance (122) sont disposés, et au moins un deuxième substrat conducteur (116) couplé électriquement au premier substrat conducteur. Une première borne (108) est électriquement couplée au premier substrat conducteur. Le module de puissance comprend également un second substrat (110) comprenant un troisième substrat conducteur (130), sur lequel une seconde pluralité de commutateurs à semi-conducteur de puissance (136) sont disposés, et au moins un quatrième substrat conducteur (132) couplé électriquement au troisième substrat conducteur. Le troisième substrat conducteur est couplé électriquement au deuxième substrat conducteur. Une seconde borne (112) est couplée électriquement au quatrième substrat conducteur. |
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