IMAGE SENSOR

A CCD image sensor of the type for providing charge multiplication by impact ionisation has an image area and a plurality of pixels. A separate multiplication register has a plurality of multiplication elements arranged to receive charge from the pixels of the image area. Each multiplication element comprises a sequence of electrodes operable to cause multiplication, the electrodes of each multiplication element being adjacent one another and non-overlapping. The non-overlapping arrangement may be manufactured by a CMOS process thereby providing a CCD image sensor with the advantages of CCD multiplication but using a CMOS manufacturing process. La présente invention concerne un capteur d'image CCD du type permettant de fournir une multiplication de charge par ionisation par impact, ledit capteur d'image CCD comportant une zone d'image et une pluralité de pixels. Un registre de multiplication distinct comporte une pluralité d'éléments de multiplication conçus pour recevoir une charge en provenance des pixels de la zone d'image. Chaque élément de multiplication comprend une séquence d'électrodes destinées à provoquer une multiplication, les électrodes de chaque élément de multiplication étant adjacentes les unes aux autres et ne se chevauchant pas. L'agencement sans chevauchement peut être fabriqué par un procédé CMOS, ce qui permet d'obtenir un capteur d'image CCD présentant les avantages d'une multiplication CCD mais utilisant un processus de fabrication CMOS.