ORGANIC ELECTRONIC COMPONENT HAVING A CHARGE-CARRIER GENERATION LAYER

Es wird ein organisches elektronisches Bauteil (100) umfassend einen ersten (S1) und einen zweiten organischen funktionellen Schichtenstapel (S2) und eine dazwischen angeordnete Ladungsträgergenerationsschicht (5) angeben. Die Ladungsträgergenerationsschicht (5) weist einen einen n-leitenden Bereich (5b), einen dotierten organischen p-dotierten Bereich (5a) und einen dazwischen angeordneten Zwischenbereich (5c) mit einer Schichtdicke von 0,1 nm bis 20nm auf, wobei der dotierte organische p-dotierten Bereich (5a) als p-Dotierstoff ein fluoriertes Sulfonimid-Metallsalz der folgenden Formel 1 aufweist: -wobei M entweder ein zweiwertiges oder höherwertiges Metall mit einer Atommasse von größer 26 g/mol oder ein einwertiges Metall mit einer Atommasse von größer oder gleich 39 g/mol ist, -wobei 1 ≤ n ≤ 7 ist, und -wobei R1, R2 unabhängig voneinander und aus einer Gruppe ausgewählt sind, die einen fluorsubstituierten Arylrest, einen fluorsubstituierten Alkylrest und einen fluorsubstituierten Arylalkylrest umfasst. The invention relates to an organic electronic component (100) comprising a first (S1) and a second organic functional layer stack (S2) and a charge carrier generation layer (5) arranged between the same. The charge carrier generation layer (5) has an n-counducting region (5b), a doped organic p-doped region (5a) and an intermediate region (5c) arranged between the same having a layer thickness of 0.1 nm to 20 nm, wherein the doped organic p-doped region (5a) has, as p-dopant, a fluorized sulphonimide metal salt of the following formula 1, wherein M is either a divalent or higher-valency metal having an atomic mass of greater than 26 g/mol or a monovalent metal having an atomic mass of greater than or equal to 39 g/mol, wherein 1 ≤ n ≤ 7, and wherein R1, R2 are independent of each other and are chosen from a group which comprises a fluoro-substituted aryl radical, a fluoro-substituted alkyl radical and a fluoro-substituted arylalkyl radical. L'invention concerne un composant électronique organique (100) comprenant un premier (S1) et un second empilement de couches fonctionnelles organiques (S2) ainsi qu'une couche de génération de porteurs de charge (5) disposée entre les deux empilements de couches. La couche de génération de porteurs de charge (5) présente une zone conductrice de type n (5b), une zone organique dopée à dopage de type p (5a) et, disposée entre, une zone intermédiaire (5c) d'épaisseur comprise entre 0,1 et 20 nm, la zone organique dopée