PROJECTION EXPOSURE SYSTEM HAVING A SENSOR UNIT FOR DETECTING PARTICLES

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Halbleiterlithographie mit einer Vorrichtung zur Detektion von in der Anlage befindlichen Partikeln. Dabei enthält die Vorrichtung eine Sensoreinheit (2) zur Aufnahme von Partikeln und eine Auswerteeinheit (3) zur Detektion der v...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	EHM, Dirk, Heinrich, WILLEMS-PETERS, Alisia, SCHMIDT, Stefan-Wolfgang, STORM, Arnoldus, Jan, LOGTENBERG, Hella
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MATERIALS THEREFOR MEASURING ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Halbleiterlithographie mit einer Vorrichtung zur Detektion von in der Anlage befindlichen Partikeln. Dabei enthält die Vorrichtung eine Sensoreinheit (2) zur Aufnahme von Partikeln und eine Auswerteeinheit (3) zur Detektion der von der Sensoreinheit (2) aufgenommenen Partikel. Die Auswerteeinheit (3) ist während des Betriebes der Projektionsbelichtungsanlage (100) mit der Sensoreinheit (2) verbunden und geeignet, aus einer elektrischen Zustandsgroße das Eintreffen oder Vorhandensein von Partikeln zu bestimmen. The invention relates to a projection exposure system (100) for semiconductor lithography, comprising a device for detecting particles in the system. The device comprises a sensor unit (2) for capturing particles and an evaluation unit (3) for detecting the particles captured by the sensor unit (2). The evaluation unit (3) is connected to the sensor unit (2) during operation of the projection exposure system (100) and is intended to determine the arrival or presence of particles from an electric state parameter. L'invention concerne une installation de lithographie par projection (100) destinée à la lithographie de l'industrie des semi-conducteurs, comprenant un dispositif de détection de particules se trouvant dans l'installation. Ainsi le dispositif contient une unité de détection (2) destinée à la réception de particules et une unité d'évaluation (3) destinée à la détection des particules reçues dans l'unité de détection (2). L'unité d'évaluation (3) est, pendant le fonctionnement de l'installation de lithographie par projection (100), reliée à l'unité de détection (2) et appropriée pour déterminer l'arrivée ou la présence de particules à partir d'une grandeur d'état électrique.