ANODE FOR A HIGH-PRESSURE DISCHARGE LAMP
Anode (1) für eine Hochdruck-Entladungslampe, aufweisend einen Grundkörper (3) aus einem Refraktärmetall oder einer Refraktärmetall-Basislegierung und einen Einsatz (2) aus einer Wolfram-Basislegierung, die entlang mindestens einer Grenzfläche (23) stoffschlüssig miteinander verbunden sind, dadurch...
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Hauptverfasser: | , , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
Schlagworte: | |
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Zusammenfassung: | Anode (1) für eine Hochdruck-Entladungslampe, aufweisend einen Grundkörper (3) aus einem Refraktärmetall oder einer Refraktärmetall-Basislegierung und einen Einsatz (2) aus einer Wolfram-Basislegierung, die entlang mindestens einer Grenzfläche (23) stoffschlüssig miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass der Einsatz (2) aus einer Wolfram-Basislegierung mit einem Kaliumgehalt zwischen 5 μg/g und 120 μg/g, bevorzugt 15 μg/g und 85 μg/g, weiter bevorzugt 25 μg/g und 65 μg/g besteht. Weiter ein Verfahren zur Herstellung einer Anode und eine Hochdruck-Entladungslampe.
The invention relates to an anode (1) for a high-pressure discharge lamp, comprising a main body (3) composed of a refractory metal or a refractory-metal-based alloy and an insert (2) composed of a tungsten-based alloy, which are integrally bonded to each other along at least one interface (23), characterized in that the insert (2) consists of a tungsten-based alloy having a potassium content between 5 μg/g and 120 μg/g, preferably 15 μg/g and 85 μg/g, more preferably 25 μg/g and 65 μg/g. The invention further relates to a method for producing an anode and to a high-pressure discharge lamp.
La présente invention concerne une anode (1) pour une lampe à décharge à haute pression, comprenant un corps de base (3), composé d'un métal réfractaire ou d'un alliage à base de métal réfractaire, et un insert (2), composé d'un alliage à base de tungstène, qui sont reliés entre eux par liaison de matière le long d'au moins une interface (23), caractérisée en ce que l'insert (2) composé d'un alliage à base de tungstène présente une teneur en potassium entre 5 μg/g et 120 μg/g, de préférence entre 15 μg/g et 85 μg/g, de préférence encore entre 25 μg/g et 65 μg/g. La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une anode et d'une lampe à décharge à haute pression. |
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