PLASMA PROCESSING APPARATUS CAPABLE OF ADJUSTING CHARGE AMOUNT

The present invention relates to a plasma processing apparatus capable of adjusting the amount of charges, including plasma ions reaching a substrate, according to the properties of a substrate. The plasma processing apparatus comprises a charge amount measurement device and a control unit. The charge amount measurement device measures a charge amount in an area of a substrate, and the control unit controls power applied to an ion source to cause the measured charge amount, which is received from the charge amount measurement device, to converge to an optimal charge amount of the substrate. La présente invention concerne un appareil de traitement par plasma pouvant ajuster la quantité de charges, y compris des ions de plasma atteignant un substrat, en fonction des propriétés d'un substrat. L'appareil de traitement par plasma comprend un dispositif de mesure de quantité de charges et une unité de commande. Le dispositif de mesure de quantité de charges mesure une quantité de charges dans une zone d'un substrat, et l'unité de commande commande la puissance appliquée à une source d'ions pour faire converger la quantité de charges mesurée, qui est reçue du dispositif de mesure de quantité de charges, vers une quantité de charges optimale du substrat. 본 발명은 기판에 도달하는 플라즈마 이온 등의 전하량을 기판의 물성에 맞게 조절할 수 있는 플라즈마 공정 장치에 관한 것으로, 플라즈마 공정 장치는 전하량 측정기 및 제어부를 구비하고 있다. 전하량 측정기는 기판의 영역에서 전하량을 측정하고, 제어부는 전하량 측정기로부터 수신하는 측정 전하량이 기판의 최적 전하량에 수렴하도록 이온 소스에 인가되는 전원을 제어한다.