SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING III-N MATERIAL

The invention relates to a semiconductor structure (1) comprising III-N materials, including: a support substrate (2); a main layer (3) of III-N material, said main layer (3) comprising a first section (3a) disposed on the support substrate (2) and a second section (3b) disposed on the first section (3a); an inter-layer (4) of III-N material, disposed between the first section (3a) and the second section (3b) in order to compress the second section (3b) of the main layer. The structure (1) is characterised in that the inter-layer (4) consists of a lower layer (4a) disposed on the first section (3a) and an upper layer (4b) disposed on the lower layer (4a) and formed by a superlattice. L'invention porte sur une structure semi-conductrice (1) à base de matériaux III-N comprenant un substrat support (2); une couche principale (3) en matériau III-N, la couche principale (3) comportant une première section (3a) disposée sur le substrat support (2) et une seconde section (3b) disposée sur la première section (3a); une couche intercalaire (4) en matériau III-N disposée entre la première section (3a) et la seconde section (3b) pour mettre en compression la seconde section (3b) de la couche principale. La structure (1) est remarquable en ce que la couche intercalaire (4) est composée d'une couche inférieure (4a) disposée sur la première section (3a) et d'une couche supérieure (4b), disposée sur la couche inférieure (4a), constituée d'un super réseau.