BIPOLAR SCR

In described examples, a high-voltage bipolar semiconductor controlled rectifier SCR (100) includes: an emitter region (102) having a first polarity and overlying a base region (104) having a second polarity different from the first polarity; a collector region (106, 108) having the first polarity and lying under the base region (104); an anode region (114, 116, 120) having the second polarity; a first sinker region (118) having the first polarity and contacting the collector region (106, 108), wherein the anode region (114, 116, 120) is between the first sinker region (118) and the base region (104); and a second sinker region (112) having the first polarity and contacting the collector region (106, 108, 110), the second sinker region (112) lying between the anode region (114, 116, 120) and the base region (104), wherein an extension (120) of the anode region (114, 116, 120) extends under a portion of the second sinker region (112). Dans des exemples décrits, l'invention porte sur un thyristor (SCR) bipolaire haute tension (100) qui comprend : une zone d'émetteur (102) ayant une première polarité et s'étendant au-dessus d'une zone de base (104) ayant une seconde polarité différente de la première polarité; une zone de collecteur (106, 108) ayant la première polarité et s'étendant au-dessous de la zone de base (104); une zone d'anode (114, 116, 120) ayant la seconde polarité; une première zone plongeante (118) ayant la première polarité et en contact avec la zone de collecteur (106, 108), la zone d'anode (114, 116, 120) se trouvant entre la première zone plongeante (118) et la zone de base (104); et une seconde zone plongeante (112) ayant la première polarité et en contact avec la zone de collecteur (106, 108, 110), la seconde zone de puits (112) s'étendant entre la zone d'anode (114, 116, 120) et la zone de base (104), une extension (120) de la zone d'anode (114, 116, 120) s'étendant au-dessous d'une partie de la seconde zone plongeante (112).