APERTURE SIZE MODULATION TO ENHANCE EBEAM PATTERNING RESOLUTION

Lithographic apparatuses suitable for complementary e-beam lithography (CEBL) are described. In an example, a blanker aperture array (BAA) for an e-beam tool includes a first column of openings along a first direction and having a pitch. Each opening of the first column of openings has a dimension in the first direction. The BAA also includes a second column of openings along the first direction and staggered from the first column of openings. The second column of openings has the pitch. Each opening of the second column of openings has the dimension in the first direction. A scan direction of the BAA is along a second direction orthogonal to the first direction. The openings of the first column of openings overlap with the openings of the second column of openings by at least 5% but less than 50% of the dimension in the first direction when scanned along the second direction. L'invention concerne des appareils lithographiques appropriés pour la lithographie par faisceau d'électrons complémentaire (CEBL). Dans un exemple, un réseau d'ouvertures d'obturateur (BAA) pour un outil à faisceau d'électrons comprend une première colonne d'ouvertures dans une première direction et ayant un pas. Chaque ouverture de la première colonne d'ouvertures possède une dimension dans la première direction. Le BAA comprend également une seconde colonne d'ouvertures dans la première direction et décalées par rapport à la première colonne d'ouvertures. La seconde colonne d'ouvertures présente ledit pas. Chaque ouverture de la seconde colonne d'ouvertures possède la dimension dans la première direction. Une direction de balayage du BAA s'étend dans une seconde direction orthogonale à la première direction. Les ouvertures de la première colonne d'ouvertures chevauchent les ouvertures de la seconde colonne d'ouvertures d'au moins 5% mais de moins de 50 % de la dimension dans la première direction lorsqu'elles sont balayées dans la seconde direction.