VERTICAL SIC MOSFET

Es wird ein vertikaler SiC-MOSFET (20) mit einem Sourceanschluss (2), einem Drainanschluss (4) und einem Gatebereich (36) sowie mit einer zwischen dem Sourceanschluss (2) und dem Drainanschluss (4) angeordneten, eine Dotierung einer ersten Art aufweisenden Epitaxieschicht (22), wobei in die Epitaxie...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	JACKE, Thomas, FEILER, Wolfgang
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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