MTJ STRUCTURE HAVING PERPENDICULAR MAGNETIC ANISOTROPY AND MAGNETIC ELEMENT INCLUDING SAME

Provided are an MTJ structure having perpendicular magnetic anisotropy and a magnetic element including the same. The MTJ structure having perpendicular magnetic anisotropy comprises: a substrate; a perpendicular magnetic anisotropy-inducing layer disposed on the substrate and containing an oxide-based material; a perpendicular antiferromagnetic layer disposed on the perpendicular magnetic anisotropy-inducing layer and containing an antiferromagnetic material; a first ferromagnetic layer disposed on the perpendicular antiferromagnetic layer and having perpendicular magnetic anisotropy; a tunneling barrier layer disposed on the first ferromagnetic layer; and a second ferromagnetic layer disposed on the tunneling barrier layer and having perpendicular magnetic anisotropy. Therefore, a perpendicular interaction is generated at the interface between the perpendicular antiferromagnetic layer and the perpendicular magnetic anisotropy-inducing layer, and thus a perpendicular interaction is also generated between the perpendicular antiferromagnetic layer and the first ferromagnetic layer. L'invention concerne une structure MTJ ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire et un élément magnétique comprenant celle-ci. La structure MTJ ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire comprend : un substrat ; une couche d'induction d'anisotropie magnétique perpendiculaire disposée sur le substrat et contenant un matériau à base d'oxyde ; une couche antiferromagnétique perpendiculaire disposée sur la couche d'induction d'anisotropie magnétique perpendiculaire et contenant un matériau antiferromagnétique ; une première couche ferromagnétique disposée sur la couche antiferromagnétique perpendiculaire et ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire ; une couche de barrière à effet tunnel disposée sur la première couche ferromagnétique ; et une seconde couche ferromagnétique disposée sur la couche de barrière à effet tunnel et ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire. Par conséquent, une interaction perpendiculaire est produite au niveau de l'interface entre la couche antiferromagnétique perpendiculaire et la couche d'induction d'anisotropie magnétique perpendiculaire, et ainsi une interaction perpendiculaire est également produite entre la couche antiferromagnétique perpendiculaire et la première couche ferromagnétique. 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 이를 포함하는 자성소자를 제공한다. 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조는 기판, 상기 기판 상에 위치하되, 산화물계 물질을 포함하는 수직자기이방성 유도층, 상기 수직자기이방성 유도층 상에 위치하되, 반강자성물질을