METROLOGY METHOD AND LITHOGRAPHIC METHOD, LITHOGRAPHIC CELL AND COMPUTER PROGRAM

Disclosed is a method of measuring a target, associated lithographic method and litho cell. The method comprises measuring said target subsequent to exposure of structures by a lithographic process in a current layer on a substrate over one or more preceding layers, wherein the one or more preceding...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	BHATTACHARYYA, Kaustuve
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Disclosed is a method of measuring a target, associated lithographic method and litho cell. The method comprises measuring said target subsequent to exposure of structures by a lithographic process in a current layer on a substrate over one or more preceding layers, wherein the one or more preceding layers have each undergone an etch step, the target being comprised only in at least one of said one or more preceding layers. In this way, an after-etch measurement of the target is obtained. La présente invention concerne un procédé de mesure d'une cible, un procédé lithographique et une cellule lithographique associés. Le procédé comprend la mesure de ladite cible suite à une exposition de structures par un procédé lithographique dans une couche courante sur un substrat au-dessus d'une ou de plusieurs couche(s) précédente(s), ladite une ou les dites couche(s) précédente(s) ayant chacune subi une étape de gravure, la cible étant comprise uniquement dans au moins une couche parmi de ladite une couche ou lesdites couche(s) précédente(s). Ainsi, une mesure post-gravure de la cible est obtenue.