WAFER RETAINER RINGS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING

Disclosed herein are wafer retainer rings for chemical mechanical polishing (CMP) systems. Various ones of the wafer retainer rings disclosed herein may meet one or more criteria for limiting the wear on the wafer retainer ring during polishing. For example, in some embodiments, a wafer retainer rin...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: JEWETT, Jason A, MCZEEK, William L, TREGUB, Alexander
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Disclosed herein are wafer retainer rings for chemical mechanical polishing (CMP) systems. Various ones of the wafer retainer rings disclosed herein may meet one or more criteria for limiting the wear on the wafer retainer ring during polishing. For example, in some embodiments, a wafer retainer ring may include a top surface including a plurality of ridges separated by a corresponding plurality of grooves, wherein each of the plurality of ridges has a width; a bottom surface; an inner surface circumscribing an area having a diameter; and an outer surface; wherein a ratio of the diameter to the width is less than 3.8. La présente invention concerne des bagues de retenue de tranche pour polissage mécano-chimique (CMP). Diverses bagues parmi les bagues de retenue de tranche selon l'invention peuvent satisfaire à un ou plusieurs critères pour limiter l'usure sur la bague de retenue de tranche durant le polissage. Par exemple, dans certains modes de réalisation, une bague de retenue de tranche peut comprendre une surface supérieure qui comprend une pluralité de crêtes séparées par une pluralité correspondante de rainures, chaque crête parmi la pluralité de crêtes possédant une largeur ; une surface inférieure ; une surface intérieure qui entoure une zone qui présente un diamètre ; et une surface extérieure. Le rapport diamètre-largeur est inférieur à 3,8.