ENGINEERED SUBSTRATE WITH EMBEDDED MIRROR

Engineered substrate comprising: a seed layer made of a first semiconductor material for growth of a solar cell; a first bonding layer on the seed layer; a support substrate made of a second semiconductor material; a second bonding layer on a first side of the support substrate; a bonding interface between the first and second bonding layers; the first and second bonding layers each made of metallic material; wherein doping concentration and thickness of the engineered substrate, in particular of the seed layer, the support substrate, and both the first and second bonding layers, are selected such that the absorption of the seed layer is less than 20%, preferably less than 10%, as well as total area-normalized series resistance of the engineered substrate is less than 10 mOhm.cm2, preferably less than 5 mOhm.cm2. L'invention porte sur un substrat technique comprenant : une couche germe constituée d'un premier matériau semi-conducteur pour la croissance d'une cellule solaire; une première couche de liaison sur la couche germe; un substrat support constitué d'un second matériau semi-conducteur; une seconde couche de liaison sur un premier côté du substrat support; et une interface de liaison entre les première et seconde couches de liaison, les première et seconde couches de liaison étant constituées chacune d'un matériau métallique. La concentration de dopage et l'épaisseur du substrat technique, en particulier de la couche germe, du substrat support et des première et seconde couches de liaison, sont sélectionnées de manière que l'absorption de la couche germe soit inférieure à 20 %, de préférence inférieure à 10 %, et que la résistance série normalisée sur la surface totale du substrat technique soit inférieure à 10 mOhm.cm2, de préférence inférieure à 5 mOhm.cm2.