METHOD FOR IMPLANTATION OF SEMICONDUCTOR WAFERS HAVING HIGH BULK RESISTIVITY

An ion implanter may include an electrostatic clamp to hold a substrate; a plasma flood gun generating a flux of electrons impinging upon the substrate; and a controller coupled to the plasma flood gun and including a component generating a control signal responsive to a measurement signal, the control signal to adjust operation of the plasma flood gun to a target operating level. At the target operating level the flux of electrons may comprise a stabilizing dose of electrons, the stabilizing concentration of electrons, the stabilizing concentration reducing a clamp current variation in the electrostatic clamp to a target value, the target value being less than a second value of clamp current variation when the plasma flood gun is not operating. L'invention concerne un implanteur ionique qui peut comprendre un mandrin électrostatique pour tenir un substrat ; un canon à plasma générant un flux d'électrons incidents sur le substrat ; un dispositif de commande couplé au canon à plasma et comprenant un composant générant un signal de commande en réponse à un signal de mesure, le signal de commande servant à ajuster le fonctionnement du canon à plasma à un niveau de fonctionnement cible. Au niveau du fonctionnement cible, le flux d'électrons peut comprendre une dose d'électrons stabilisatrice, une concentration d'électrons stabilisatrice, la concentration stabilisatrice réduisant la variation d'un courant de mandrin dans le mandrin électrostatique à une valeur cible, la valeur cible étant inférieure à une seconde valeur de variation de courant de mandrin quand le canon à plasma n'est pas en fonctionnement.