DAMAGE FREE ENHANCEMENT OF DOPANT DIFFUSION INTO A SUBSTRATE
A method of doping a substrate. The method may include implanting a dose of a helium species into the substrate through a surface of the substrate at an implant temperature of 300°C or greater. The method may further include depositing a doping layer containing a dopant on the surface of the substra...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | A method of doping a substrate. The method may include implanting a dose of a helium species into the substrate through a surface of the substrate at an implant temperature of 300°C or greater. The method may further include depositing a doping layer containing a dopant on the surface of the substrate, and annealing the substrate at an anneal temperature, the anneal temperature being greater than the implant temperature.
La présente invention porte sur un procédé de dopage d'un substrat. Le procédé peut consister à implanter une dose d'une espèce d'hélium dans le substrat à travers une surface du substrat à une température d'implantation égale ou supérieure à 300 °C. Le procédé peut en outre consister à déposer une couche de dopage contenant un dopant sur la surface du substrat et à recuire le substrat à une température de recuit, la température de recuit étant supérieure à la température d'implantation. |
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