APPROACHES FOR PATTERNING METAL LINE ENDS FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Approaches for patterning metal line ends for back end of line (BEOL) interconnects, and the resulting structures, are described. In an example, a metallization layer of an interconnect structure for a semiconductor die includes a metal line disposed in a trench of an interlayer dielectric (ILD) material layer. The ILD material layer is composed of a first dielectric material. A conductive via is disposed in the ILD material layer, below and electrically connected to the metal line. A dielectric plug is directly adjacent to the metal line and the conductive via. The dielectric plug is composed of a second dielectric material different from the first dielectric material. L'invention porte sur des approches pour la formation des motifs d'extrémités de lignes métalliques pour interconnexions de type « Fin de ligne » (BEOL), et sur les structures ainsi obtenues. Dans un exemple, une couche de métallisation d'une structure d'interconnexion pour une puce de semi-conducteur comprend une ligne métallique disposée dans une tranchée d'une couche de matériau diélectrique intercouche (ILD). La couche de matériau ILD est constituée d'un premier matériau diélectrique. Un trou d'interconnexion conducteur est ménagé dans la couche de matériau ILD, au-dessous de la ligne métallique et électriquement connecté à cette dernière. Un bouchon diélectrique est directement adjacent à la ligne métallique et au trou d'interconnexion conducteur. Le bouchon diélectrique est constitué d'un second matériau diélectrique différent du premier matériau diélectrique.