FABRICATION AND USE OF THROUGH SILICON VIAS ON DOUBLE SIDED INTERCONNECT DEVICE

An apparatus including a circuit structure including a device stratum; one or more electrically conductive interconnect levels on a first side of the device stratum and coupled to ones of the transistor devices; and a substrate including an electrically conductive through silicon via coupled to the one or more electrically conductive interconnect levels so that the one or more interconnect levels are between the through silicon via and the device stratum. A method including forming a plurality of transistor devices on a substrate, the plurality of transistor devices defining a device stratum; forming one or more interconnect levels on a first side of the device stratum; removing a portion of the substrate; and coupling a through silicon via to the one or more interconnect levels such that the one or more interconnect levels is disposed between the device stratum and the through silicon via. La présente invention concerne un appareil comprenant une structure de circuit comprenant une couche de dispositif ; un ou plusieurs niveaux d'interconnexion électroconducteurs sur une première face de la couche de dispositif et couplés à un des dispositifs transistors ; et un substrat comprenant une interconnexion verticale électroconductrice couplée à un ou plusieurs niveaux d'interconnexion électroconducteurs de sorte qu'un ou plusieurs niveaux d'interconnexion soient entre l'interconnexion verticale et la couche de dispositif. Un procédé consiste à former une pluralité de dispositifs transistors sur un substrat, la pluralité de dispositifs transistors définissant une couche de dispositif ; à former un ou plusieurs niveaux d'interconnexion sur un premier côté de la couche de dispositif ; à éliminer une partie du substrat ; et à coupler une interconnexion verticale à un ou plusieurs niveaux d'interconnexion de sorte qu'un ou plusieurs niveaux d'interconnexion soient disposés entre la couche de dispositif et l'interconnexion verticale.