THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD

The present invention addresses the problem of providing a TFT manufacturing method for providing a TFT in which device isolation is attained in an easier and more convenient manner, a TFT manufactured by the manufacturing method, and an electronic device including the TFT. The problem is solved by using a printing method in which a blanket made of an elastomer or a plate made of an elastomer is used and in which an ink containing, as an essential component, a solvent which can dissolve or diffuse a semiconductor material for forming a semiconductor layer is printed on the semiconductor layer so that a channel region is a non-drawn-line-or-image area and a boundary of an image area forms a closed curve that surrounds the outer peripheral edge of the channel region. La présente invention traite le problème de la réalisation d'un procédé de fabrication de TFT capable de produire un TFT dans lequel l'isolation du dispositif est plus facile et plus commode à réaliser, et concerne un TFT fabriqué selon le procédé de fabrication et un dispositif électronique contenant le TFT. Le problème est résolu au moyen d'un procédé d'impression utilisant une couverture en élastomère ou une plaque en élastomère et dans lequel une encre contenant, comme composant essentiel, un solvant capable de dissoudre ou de diffuser un matériau semi-conducteur pour former une couche semi-conductrice est imprimée sur la couche semi-conductrice de telle façon qu'une région de canal soit une zone sans lignes de dessin ni image et qu'une frontière d'une zone d'image forme une courbe fermée qui entoure le bord périphérique extérieur de la région de canal. より簡便な方法で、素子分離が実現されたＴＦＴを提供するＴＦＴの製造方法、該製造方法によって製造されたＴＦＴ、および、該ＴＦＴを含む電子装置の提供を課題とする。 半導体層を形成する半導体材料を溶解または分散せしめことができる溶媒を必須成分とするインクを、エラストマー製のブランケットまたはエラストマー製の版を用いた印刷法を用いて、チャネル領域が非画線画像部となり、かつ、画像部の境界が、該チャネル領域の外周縁を取り囲む閉曲線を形成するように、半導体層上に印刷することにより、課題を解決する。