METHOD FOR EPITAXIAL COATING OF SEMICONDUCTOR WAFERS, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von Halbleiterscheiben (120) mit jeweils einer epitaktisch abgeschiedenen Schicht in einem Epitaxie-Reaktor (100), wobei in einem Beschichtungsvorgang wenigstens eine Halbleiterscheibe (120) auf einem jeweiligen Suszeptor (110) in dem Epitaxie-Rea...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	HAGER, Christian, MAY, Katharina, WEBER, Christof
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL CRYSTAL GROWTH DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von Halbleiterscheiben (120) mit jeweils einer epitaktisch abgeschiedenen Schicht in einem Epitaxie-Reaktor (100), wobei in einem Beschichtungsvorgang wenigstens eine Halbleiterscheibe (120) auf einem jeweiligen Suszeptor (110) in dem Epitaxie-Reaktor (100) angeordnet wird und ein erstes Abscheidegas zum Beschichten der wenigstens einen Halbleiterscheibe (120) durch den Epitaxie-Reaktor (100) geleitet wird, wobei vor einem Beschichtungsvorgang jeweils ein Ätzvorgang durchgeführt wird, bei dem ein erstes Ätzgas und ein Trägergas durch den Epitaxie-Reaktor (100) geleitet werden, und wobei jeweils nach einer vorgebbaren Anzahl an Beschichtungsvorgängen ein Reinigungsvorgang durchgeführt wird, bei dem ein zweites Ätzgas und anschließend insbesondere ein zweites Abscheidegas durch den Epitaxie-Reaktor (100) geleitet werden, wobei für zwei oder mehr dem jeweiligen Beschichtungsvorgang vorausgehende Ätzvorgänge wenigstens eine den Ätzvorgang beeinflussende Größe individuell auf den betreffenden Ätzvorgang eingestellt wird, sowie eine Halbleiterscheibe. The invention relates to a method for coating semiconductor wafers (120) individually with an epitaxially deposited layer in an epitaxy reactor (100), wherein in a coating operation at least one semiconductor wafer (120) is arranged on a respective susceptor (110) in the epitaxy reactor (100) and a first deposition gas for coating the at least one semiconductor wafer (120) is conducted through the epitaxy reactor (100), wherein before each coating operation an etching operation is carried out in which a first etching gas and a carrier gas are conducted through the epitaxy reactor (100), and wherein after each set of a predeterminable number of coating operations a cleaning operation is carried out, in which a second etching gas and subsequently in particular a second deposition gas are conducted through the epitaxy reactor (100), wherein for two or more etching operations preceding the respective coating operation at least one variable influencing the etching operation is adapted individually to the relevant etching operation. The invention further relates to a semiconductor wafer. L'invention concerne un procédé pour recouvrir des tranches de semi-conducteur (120) avec respectivement une couche déposée par épitaxie dans un réacteur d'épitaxie (100). Dans un processus de revêtement, au moins une tranche de semi-conducteur (120) est agencée sur un suscepteur (110)