NON-OXIDE BASED DIELECTRICS FOR SUPERCONDUCTOR DEVICES

A method of forming a superconductor device (50) is provided. The method includes depositing a non-oxide based dielectric layer (56) over a substrate (52), depositing a photoresist material layer (58) over the non-oxide based dielectric layer, irradiating and developing the photoresist material layer to form a via pattern in the photoresist material layer, and etching the non-oxide based dielectric layer to form openings (60) in the non-oxide based dielectric layer based on the via pattern. The method further comprises stripping the photoresist material layer, and filling the openings in the non-oxide based dielectric with a superconducting material (70) to form a set of superconducting contacts (72). L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif supraconducteur (50). Le procédé comprend les étapes consistant à déposer une couche diélectrique (56) non basée sur des oxydes par-dessus un substrat (52), déposer une couche (58) de matériau pour réserve photosensible par-dessus la couche diélectrique non basée sur des oxydes, à irradier et à développer la couche de matériau pour réserve photosensible pour former un motif de trous d'interconnexion dans la couche de matériau pour réserve photosensible, et à attaquer la couche diélectrique non basée sur des oxydes pour former des ouvertures (60) dans la couche diélectrique non basée sur des oxydes selon le motif de trous d'interconnexion. Le procédé comporte en outre les étapes consistant à détacher la couche de matériau pour réserve photosensible, et à remplir les ouvertures dans le diélectrique non basé sur des oxydes avec un matériau supraconducteur (70) pour former un ensemble de contacts supraconducteurs (72).