SPUTTERING TARGET, LAMINATE, MULTI-LAYER BODY, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE

Provided is a sputtering target with which a film can be formed at a high film-forming rate by reactive sputtering of a Zn-Sn complex oxide film. Furthermore, provided are a laminate and a multi-layer body having the Zn-Sn complex oxide film formed by using such a sputtering target, as well as metho...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: MIYAKAWA Naomichi, WATANABE Toshinari, OHKOSHI Kazuto
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:Provided is a sputtering target with which a film can be formed at a high film-forming rate by reactive sputtering of a Zn-Sn complex oxide film. Furthermore, provided are a laminate and a multi-layer body having the Zn-Sn complex oxide film formed by using such a sputtering target, as well as method for producing a laminate. The sputtering target contains 5 to 88 mass% of Zn, 5 to 88 mass% of Sn, and 7 to 90 mass% of Bi, with respect to the total metal content. L'invention concerne une cible de pulvérisation avec laquelle un film peut être formé à une grande vitesse de formation de film par pulvérisation réactive d'un film d'oxyde complexe de Zn-Sn. En outre, l'invention concerne un stratifié et un corps multicouche ayant le film d'oxyde complexe de Zn-Sn formé en utilisant une telle cible de pulvérisation, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un stratifié. La cible de pulvérisation contient de 5 à 88 % en masse de Zn, de 5 à 88 % en masse de Sn et de 7 à 90 % en masse de Bi, par rapport à la teneur totale en métal. Zn-Sn複合酸化物膜を反応性スパッタリングにより高い成膜速度で成膜できるスパッタリングターゲットを提供する。また、このようなスパッタリングターゲットを用いて成膜されたZn-Sn複合酸化物膜を有する積層体および複層体、ならびに積層体の製造方法を提供する。 スパッタリングターゲットは、全金属量に対して、Znを5~88質量%、Snを5~88質量%、Biを7~90質量%含有する。