MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR WAFER

Gegenstand der Erfindung ist eine monokristalline Halbleiterscheibe mit einer mittleren Rauheit Ra von höchstens 0,8 nm bei einer Grenzwellenlänge von 250 μm, gekennzeichnet durch einen ESFQRavg von 8 nm oder weniger bei einem Randausschluss von 1 mm. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Halbleiterscheibe, umfassend folgende Schritte in der angegebenen Reihenfolge: - Gleichzeitig beidseitige Politur der Halbleiterscheibe, - lokale Material abtragende Bearbeitung mindestens eines Teils mindestens einer Seite der Halbleiterscheibe mit einem Flüssigkeitsstrahl, der suspendierte Hartstoffpartikel enthält, und der mit Hilfe einer Düse auf einen kleinen Bereich der Fläche gerichtet wird, wobei die Düse derart über den zu behandelnden Teil der Fläche bewegt wird, dass ein vordefinierter Geometrie-Parameter der Halbleiterscheibe verbessert wird und - Politur der wenigstens einen Fläche der Halbleiterscheibe. The invention relates to a monocrystalline semiconductor wafer having an average roughness Ra of at most 0.8 nm at a cut-off wavelength of 250 μm, characterized by an ESFQRavg of 8 nm or less at an edge exclusion of 1 mm. The invention further relates to a method for producing a monocrystalline semiconductor wafer, comprising the following steps in the specified order: polishing the semiconductor wafer on both sides simultaneously, locally processing at least part of at least one side of the semiconductor wafer in a material-removing manner by means of a liquid jet, which contains suspended hard-material particles and which is directed at a small area of the surface by means of a nozzle, wherein the nozzle is moved over the part of the surface to be treated in such a way that a predefined geometry parameter of the semiconductor wafer is improved, and polishing the at least one surface of the semiconductor wafer. L'invention concerne une plaquette de semi-conducteur monocristallin ayant une rugosité moyenne Ra de 0,8 nm maximum à une longueur d'onde de coupure de 250 µm. L'invention est caractérisée par un ESFQRmoyen de 8 nm ou moins pour une zone d'exclusion de bord de 1 mm. L'invention concerne également un procédé de production d'une plaquette de semi-conducteur monocristallin comprenant, dans l'ordre indiqué, les étapes suivantes consistant à : - polir simultanément les deux faces de la plaquette de semi-conducteur, - usiner localement par enlèvement de matière au moins une partie d'au moins une face de la plaquet