SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND CONSTANT CURRENT DRIVING SYSTEM

A semiconductor integrated circuit (16) is provided with a constant current circuit (32) and a constant voltage circuit (30) from which a constant voltage is outputted. The constant current circuit (32) is provided with a first transistor (36). A voltage identical to a node voltage of a middle part...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: URUNO, Satoki, AOKI, Daisuke, MATSUBARA, Junichi, SHIMA, Kengo
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:A semiconductor integrated circuit (16) is provided with a constant current circuit (32) and a constant voltage circuit (30) from which a constant voltage is outputted. The constant current circuit (32) is provided with a first transistor (36). A voltage identical to a node voltage of a middle part (38) on a connection path of an output of the constant voltage circuit (30) and an external resistor (18) is inputted as an input voltage to a first gate electrode of the first transistor (36). A fixed power source (22) is connected to a source region of the first transistor (36), and an external power source (12) is connected to a drain region via a load (14). In the first transistor (36), a constant current can be supplied between the source region and the drain region on the basis of the input voltage. A constant current driving system (10) is constructed by mounting the semiconductor integrated circuit (16) and the external resistor (18) on a circuit board (20). L'invention concerne un circuit intégré à semiconducteur (16) qui est pourvu d'un circuit à courant constant (32) et d'un circuit à tension constante (30) duquel est délivrée une tension constante. Le circuit à courant constant (32) comporte un premier transistor (36). Une tension identique à une tension de nœud d'une partie centrale (38) sur un trajet de connexion d'une sortie du circuit à tension constante (30) et d'une résistance externe (18) est appliquée en tant que tension d'entrée à une première électrode de gâchette du premier transistor (36). Une source d'énergie fixe (22) est reliée à une région de source du premier transistor (36) et une source d'énergie externe (12) est connectée à une région de drain par le biais d'une charge (14). Dans le premier transistor (36), un courant constant peut être délivré entre la région de source et la région de drain en fonction de la tension d'entrée. Un système de commande à courant constant (10) est construit en montant le circuit intégré à semiconducteur (16) et la résistance externe (18) sur un circuit imprimé (20). 半導体集積回路(16)は、定電圧が出力される定電圧回路(30)と定電流回路(32)とを備えている。定電流回路(32)は第1トランジスタ(36)を備えている。第1トランジスタ(36)の第1ゲート電極には、定電圧回路(30)の出力と外付け抵抗(18)との接続経路における中間部(38)のノード電圧と同一電圧が入力電圧として入力される。第1トランジスタ(36)のソース領域には固定電源(22)が接続され、ドレイン領域には負荷(14)を介して外部電源(12)が接続されている。第1トランジスタ(36)では、入力電圧に基づいてソース領域とドレイン領域との間に定電流を流すことができる。また、回路基板(20)に半導体集積回路(16)及び外付け抵抗(18)が実装されて定電流駆動システム(10)が構築されている。