TRENCH MOSFET WITH SELF-ALIGNED BODY CONTACT WITH SPACER

Trench MOSFET with self- aligned body contact with spacer. In accordance with an embodiment of the present invention, a semiconductor device includes a semiconductor substrate, and at least two gate trenches formed in the semiconductor substrate. Each of the trenches comprises a gate electrode. The semiconductor device also includes a body contact trench formed in the semiconductor substrate between the gate trenches. The body contact trench has a lower width at the bottom of the body contact trench and an ohmic body contact implant beneath the body contact trench. The horizontal extent of the ohmic body contact implant is at least the lower width of the body contact trench. La présente invention concerne un MOSFET à tranchée avec contact corporel auto-aligné avec élément d'espacement. Selon un mode de réalisation de la présente invention, un dispositif à semi-conducteur comprend un substrat semi-conducteur, et au moins deux tranchées de grille formées dans le substrat semi-conducteur. Chacune des tranchées comprend une électrode grille. Le dispositif à semi-conducteur comprend également une tranchée de contact corporel formée dans le substrat semi-conducteur entre les tranchées de grille. La tranchée de contact corporel présente une largeur inférieure au niveau fond de la tranchée de contact corporel et un implant de contact corporel ohmique en dessous de la tranchée de contact corporel. L'étendue horizontale de l'implant de contact corporel ohmique est au moins la largeur inférieure de la tranchée de contact corporel.