SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME

[Problem] The present invention addresses the problem of providing a sapphire single crystal with which it is possible to reliably reduce ΔT as well as to realize a reduction in ΔT without increasing the complexity of the production equipment or raising the cost, and a method for producing the sapphire single crystal. [Solution] A die having a slit is housed in a crucible, and an aluminum oxide melt obtained by charging an aluminum oxide raw material into the crucible, heating, and melting is used; an aluminum oxide melt pool is formed on the upper portion of the slit, and a seed crystal is brought into contact with the aluminum oxide melt; and a sapphire single crystal having a desired main surface is grown from the seed crystal through a neck by raising the seed crystal. When the center position of the slit and the thickness center position of the seed crystal are set in a coaxial manner along the direction of raising of the seed crystal and the width of the straight body portion of the sapphire single crystal is taken to be W, the amount of deviation between the center line of the straight body portion of the sapphire single crystal and the center line of the neck is 0.05W or less. Le problème décrit par la présente invention est de fournir un monocristal de saphir permettant de réduire ΔT de manière fiable ainsi que de réaliser une réduction du ΔT sans augmenter la complexité de l'équipement de production ou d'augmenter le coût, et un procédé de production dudit monocristal de saphir. La solution selon l'invention porte sur une matrice comprenant une fente qui est logée dans un creuset, et l'utilisation d'une masse fondue d'oxyde d'aluminium obtenue par le chargement d'une matière première d'oxyde d'aluminium dans le creuset, le chauffage et la fusion de celle-ci; un bain d'une masse fondue d'oxyde d'aluminium est formé sur la partie supérieure de la fente, et un germe est mis en contact avec ladite masse fondue d'oxyde d'aluminium; et un monocristal de saphir présentant une surface principale souhaitée est mis en croissance à partir du germe à travers un col en élevant le germe. Lorsque la position centrale de la fente et la position centrale de l'épaisseur du germe sont définies de manière coaxiale le long de la direction d'élévation du germe et que la largeur de la partie de corps droite du monocristal de saphir est définie comme étant W, la quantité d'écart entre la ligne centrale de la partie de corps droite du monocristal de saphir et la ligne