STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL (3D) METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR AND RESISTOR IN SEMI-ADDITIVE PLATING METAL WIRING
Methods of processing a substrate include: providing a substrate having a polymer dielectric layer, a metal pad formed within the polymer dielectric layer and a first metal layer formed atop the polymer dielectric layer; depositing a polymer layer atop the substrate; patterning the polymer layer to...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Methods of processing a substrate include: providing a substrate having a polymer dielectric layer, a metal pad formed within the polymer dielectric layer and a first metal layer formed atop the polymer dielectric layer; depositing a polymer layer atop the substrate; patterning the polymer layer to form a plurality of openings, wherein the plurality of openings comprises a first opening formed proximate the metal pad; depositing a first barrier layer atop the polymer layer; depositing a dielectric layer atop the first barrier layer; etching the dielectric layer and the first barrier layer from within the first opening and a field region of the polymer layer; depositing a second barrier layer atop the substrate; depositing a second metal layer atop the substrate wherein the second metal layer fills the plurality of openings; and etching the second metal layer from a portion of the field region of the polymer layer.
L'invention concerne des procédés de traitement d'un substrat qui consistent : à réaliser un substrat comportant une couche diélectrique polymère, une pastille de métal formée dans la couche diélectrique polymère et une première couche de métal formée sur la couche diélectrique polymère ; à déposer une couche polymère sur le substrat ; à tracer des motifs sur la couche polymère pour former une pluralité d'ouvertures, la pluralité d'ouvertures comprenant une première ouverture formée à proximité de la pastille de métal ; à déposer une première couche de barrière sur la couche polymère ; à déposer une couche diélectrique sur la première couche de barrière ; à graver la couche diélectrique et la première couche de barrière depuis l'intérieur de la première ouverture et d'une zone de champ de la couche polymère ; à déposer une deuxième couche de barrière sur le substrat ; à déposer une deuxième couche de métal sur le substrat, la deuxième couche de métal remplissant la pluralité d'ouvertures ; et à graver la deuxième couche de métal depuis une partie de la zone de champ de la couche polymère. |
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