RF PULSE REFLECTION REDUCTION FOR PROCESSING SUBSTRATES
Methods and systems for RF pulse reflection reduction in process chambers are provided herein. In some embodiments, a method includes (a) providing a plurality of pulsed RF power waveforms from a plurality of RF generators during a first time period, (b) determining an initial reflected power profil...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Methods and systems for RF pulse reflection reduction in process chambers are provided herein. In some embodiments, a method includes (a) providing a plurality of pulsed RF power waveforms from a plurality of RF generators during a first time period, (b) determining an initial reflected power profile for each of the plurality of pulsed RF power waveforms, (c) for each of the plurality of pulsed RF power waveforms, determining a highest level of reflected power, and controlling at least one of a match network or the RF generator to reduce the highest level of reflected power, (d) determining an adjusted reflected power profile for each of the plurality of pulsed RF power waveforms and (e) repeating (c) and (d) until the adjusted reflected power profile for each of the plurality of pulsed RF power waveforms is within a threshold tuning range.
La présente invention concerne des procédés et des systèmes de réduction de la réflexion d'impulsions RF dans des chambres de traitement. Dans certains modes de réalisation, un procédé consiste à (a) fournir une pluralité de formes d'onde de puissance RF pulsée à partir d'une pluralité de générateurs RF durant une première période temporelle, (b) déterminer un profil initial de puissance réfléchie pour chaque forme d'onde de la pluralité de formes d'onde de puissance RF pulsée, (c) pour chaque forme d'onde de la pluralité de formes d'onde de puissance RF pulsée, déterminer un niveau maximal de puissance réfléchie et commander un réseau d'adaptation et/ou le générateur RF pour réduire le niveau maximal d'énergie réfléchie, (d) déterminer un profil de puissance réfléchie ajusté pour chaque forme d'onde de la pluralité de formes d'onde de puissance RF pulsée et (e) répéter (c) et (d) jusqu'à ce que le profil de puissance réfléchie ajusté pour chaque forme d'onde de la pluralité de formes d'onde de puissance RF pulsée se situe dans une plage d'ajustement de seuil. |
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