PHOTORESIST STRIPPING SOLUTION

The purpose of the present invention is to provide a photoresist stripping solution that has an excellent ability to maintain the solubility of a quaternary ammonium hydroxide and excellent temporal stability while maintaining a sufficient ability to strip resists. The present invention pertains to a photoresist stripping solution characterized by including dimethyl sulfoxide, a quaternary ammonium hydroxide, an alkylene amine, and a polyhydric alcohol and/or a glycol ether having a molecular weight of 100 or less. The alkylene amine is preferably an ethylene amine represented by general formula (1) (in general formula (1), n is an integer from 1 to 5). La présente invention concerne une solution de décapage de résine photosensible ayant une excellente capacité à maintenir la solubilité d'un hydroxyde d'ammonium quaternaire et une excellente stabilité dans le temps, tout en conservant une capacité suffisante à décaper les réserves. La présente invention se rapporte à une solution de décapage de résine photosensible caractérisée en ce qu'elle comprend du diméthylsulfoxyde, un hydroxyde d'ammonium quaternaire, une amine d'alkylène et un alcool polyhydrique et/ou un éther de glycol ayant un poids moléculaire de 100 ou moins. L'amine d'alkylène est, de préférence, une amine d'éthylène représentée par la formule générale (1) (dans la formule générale (1), n est un nombre entier allant de 1 à 5). 本発明は、充分なレジスト剥離性を維持しつつ、水酸化第四級アンモニウムの溶解性及び経時安定性に優れたフォトレジスト剥離液を提供することを目的とする。 本発明は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、アルキレンアミン、並びに、多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルを含むことを特徴とするフォトレジスト剥離液に関する。アルキレンアミンは、下記一般式（１）で表されるエチレンアミンであることが好ましい（一般式（１）中、ｎは１～５の整数を表す。）。