RF POWER DELIVERY REGULATION FOR PROCESSING SUBSTRATES

Methods of operating a plasma enhanced substrate processing system using pulsed radio frequency (RF) power are provided herein. In some embodiments, a method of operating a plasma enhanced substrate processing system using pulsed radio frequency (RF) power includes providing a first pulsed RF power waveform to a process chamber at a first power level during a first time period, providing a second pulsed RF power waveform at a first power level to the process chamber during the first time period, obtaining a first reflected power created by the first and second pulsed RF power waveforms provided during the first time period, and performing a first load leveling process to adjust the first power level of the first pulsed RF power waveform to compensate for the obtained reflected power during the first time period to produce a delivered power at a preset power level. L'invention concerne des procédés de fonctionnement d'un système de traitement de substrat assisté par plasma utilisant une puissance radioélectrique (RF) pulsée. Selon certains modes de réalisation, un procédé de fonctionnement d'un système de traitement de substrat assisté par plasma utilisant une puissance radioélectrique (RF) pulsée consiste à fournir une première forme d'onde de puissance RF pulsée à une chambre de traitement à un premier niveau de puissance pendant une première période , à fournir une seconde forme d'onde de puissance RF pulsée à un premier niveau de puissance à la chambre de traitement pendant la première période, à obtenir une première puissance réfléchie créée par les première et seconde formes d'onde de puissance RF pulsée fournies pendant la première période, et à effectuer un premier procédé de mise à niveau de charge pour ajuster le premier niveau de puissance de la première forme d'onde de puissance RF pulsée en vue de compenser la puissance réfléchie obtenue pendant la première période afin de produire une puissance de sortie à un niveau de puissance prédéterminé.