SELECTIVE SILICON DIOXIDE DEPOSITION USING PHOSPHONIC ACID SELF ASSEMBLED MONOLAYERS AS NUCLEATION INHIBITOR

Methods of selectively depositing a patterned layer on exposed dielectric material but not on exposed metal surfaces are described. A self-assembled monolayer (SAM) is deposited using phosphonic acids. Molecules of the self-assembled monolayer include a head moiety and a tail moiety, the head moiety forming a bond with the exposed metal portion and the tail moiety extending away from the patterned substrate and reducing the deposition rate of the patterned layer above the exposed metal portion relative to the deposition rate of the patterned layer above the exposed dielectric portion. A dielectric layer is subsequently deposited by atomic layer deposition (ALD) which cannot initiate in regions covered with the SAM in embodiments. L'invention concerne des procédés de dépôt sélectif d'une couche à motifs sur un matériau diélectrique exposé mais non sur des surfaces métalliques exposées. Une monocouche auto-assemblée (SAM) est déposée à l'aide d'acides phosphoniques. Les molécules de la monocouche auto-assemblée comprennent une fraction de tête et une fraction de queue, la fraction de tête formant une liaison avec la partie métallique exposée et la fraction de queue s'étendant depuis le substrat à motifs et réduisant la vitesse de dépôt de la couche à motifs au-dessus de la partie métallique exposée par rapport à la vitesse de dépôt de la couche à motifs au-dessus de la partie diélectrique exposée. Une couche diélectrique est ensuite déposée par dépôt de couche atomique (ALD) qui ne peut pas débuter dans des régions recouvertes avec la SAM selon des modes de réalisation.