NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

Provided is a nitride semiconductor light-emitting element provided with: an n-side layer; a p-side layer; and an active layer having a well layer provided between the n-side layer and the p-side layer, the well layer containing Al, Ga, and N, and a barrier layer containing Al, Ga, and N, the barrier layer having an Al content higher than that of the well layer, wherein: an electron block structure layer is present between the active layer and the p-side layer; and the electron block structure layer has a first electron block layer having a band gap greater than that of the barrier layer, a second electron block layer that is provided between the p-side layer and the first electron block layer and that has a band gap greater than that of the barrier layer and smaller than that of the first electron block layer, and a neutral layer that is provided between the first electron block layer and the second electron block layer and that has a band gap smaller than that of the second electron block layer. L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure, qui comprend : une couche côté n ; une couche côté p ; et une couche active comportant une couche de puits disposée entre la couche côté n et la couche côté p, la couche de puits contenant Al, Ga et N, et une couche barrière contenant Al, Ga et N, la couche barrière ayant une teneur en Al supérieure à celle de la couche de puits. Une couche de structure de blocage d'électrons est présente entre la couche active et la couche côté p ; et la couche de structure de blocage d'électrons comporte une première couche de blocage d'électrons ayant une bande interdite plus grande que celle de la couche barrière, une deuxième couche de blocage d'électrons qui est disposée entre la couche côté p et la première couche de blocage d'électrons et qui a une bande interdite plus grande que celle de la couche barrière et plus petite que celle de la première couche de blocage d'électrons, et une couche neutre qui est disposée entre la première couche de blocage d'électrons et la deuxième couche de blocage d'électrons et qui a une bande interdite plus petite que celle de la deuxième couche de blocage d'électrons. ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層の間に設けられ、ＡｌとＧａとＮとを含む井戸層と、ＡｌとＧａとＮとを含み、Ａｌの含有量が前記井戸層より大きい障壁層とを有してなる活性層と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、 活性層とｐ側層との間に電子ブロック構造層を有し、 電子ブロック構造層は、 バンドギャップが障壁層より大きい第１電子ブロック層と、 ｐ側層と第１電子ブロック層の間に設けられ、障壁層より大きく第１電子ブロック層より小さいバンドギャップを有する第２電子ブロック層と、 第１電子ブロック層と第２電子ブロック層の間に設けられ、バンドギャップが第２電子ブロック層より小さい中間層を有する。