A MODULATOR CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THEREOF

A modulator circuit (100) for electro-optical communication is disclosed, and it comprises a semiconductor substrate (105); a first semiconductor portion (102) doped using a first dopant, and a second semiconductor portion (104) doped using a second dopant which is different to the first dopant, whe...

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1. Verfasser: PNG, Ching Eng, Jason
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A modulator circuit (100) for electro-optical communication is disclosed, and it comprises a semiconductor substrate (105); a first semiconductor portion (102) doped using a first dopant, and a second semiconductor portion (104) doped using a second dopant which is different to the first dopant, wherein at least the second semiconductor portion is formed on the semiconductor substrate, and at least one portion of the first semiconductor portion is stacked directly to the second semiconductor portion to form a circuit junction; and wherein the first and second semiconductor portions are respectively doped with cooperating doping concentrations of about between 5e16/cm3 to 1e19/cm3 to enable a depletion region to be formed within the circuit junction when in use, to electrically insulate the first and second semiconductor portions from each other. A method of forming the modulator circuit is also disclosed. L'invention concerne un circuit modulateur (100) pour une communication électro-optique, et il comprend un substrat semi-conducteur (105) ; une première partie à semi-conducteurs (102) dopée à l'aide d'un premier dopant, et une seconde partie à semi-conducteurs (104) dopée à l'aide d'un second dopant qui est différent du premier dopant, au moins la seconde partie à semi-conducteurs étant formée sur le substrat semi-conducteur, et au moins une partie de la première partie à semi-conducteurs étant superposée directement sur la seconde partie à semi-conducteurs pour former un circuit de jonction ; et les première et seconde parties à semi-conducteurs étant respectivement dopées avec des concentrations de dopage coopérantes d'environ entre 5e16/cm3 et 1e19/cm3 pour permettre à une région d'appauvrissement d'être formée à l'intérieur du circuit de jonction lors de l'utilisation, pour isoler électriquement les première et seconde parties à semi-conducteurs l'une de l'autre. L'invention concerne également un procédé de formation du circuit modulateur.