PLURALITY OF SAPPHIRE SINGLE CRYSTALS AND PRODUCTION METHOD FOR SAME

[Problem] To provide a plurality of sapphire single crystals for which excellent mass-productivity is achieved by controlling variations in the spreading speeds of different sapphire single crystals during multi-growth of sapphire single crystals. Also to provide a production method for the plurality of sapphire single crystals. [Solution] By optimizing the balance between a temperature gradient along the direction in which dies are aligned and a temperature gradient along the long direction of the dies, the present invention controls variations in spreading speed and sets a start point for a transition toward a straight body part of a sapphire single crystal at a value that is within a prescribed range that corresponds to the width of the straight body part. [Problème] Fournir une pluralité de monocristaux de saphir pour lesquels une excellente productivité en masse est obtenue par contrôle des variations dans les germes en cours de propagation de différents monocristaux de saphir pendant la multi-croissance de monocristaux de saphir. L'invention concerne en outre un procédé de production pour la pluralité de monocristaux de saphir. [Solution] Par optimisation de l'équilibre entre un gradient de température le long de la direction dans laquelle des matrices sont alignées et un gradient de température le long de la direction de la longueur des matrices, la présente invention contrôle les variations de vitesse de propagation et définit un point de départ pour une transition vers une partie de corps rectiligne d'un monocristal de saphir à une valeur qui est dans une plage prescrite qui correspond à la largeur de la partie rectiligne du corps. 【課題】 サファイア単結晶のマルチ育成において、各サファイア単結晶間のスプレーディング速度のばらつきを制御することにより、量産性に優れた複数のサファイア単結晶及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 ダイの長手方向の温度勾配と、ダイの並び方向の温度勾配のバランスを最適化することにより、スプレーディング速度のばらつきを制御し、直胴部分への移行開始点をサファイア単結晶の直胴部分の幅に応じた所定の範囲内の値に設定する。