METHOD AND DEVICE FOR THE DEPOSITION OF THIN LAYERS

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten (10), welche TCO enthalten oder daraus bestehen, auf zumindest einem Substrat (1), wobei zumindest ein sich in einem Gefäß (4) befindliches Ausgangsmaterial (40) in einer Vakuumkammer (20) verdampft wird, wobei in dem Gefäß die Be...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	RENTSCH, Jochen, WOLKE, Winfried
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten (10), welche TCO enthalten oder daraus bestehen, auf zumindest einem Substrat (1), wobei zumindest ein sich in einem Gefäß (4) befindliches Ausgangsmaterial (40) in einer Vakuumkammer (20) verdampft wird, wobei in dem Gefäß die Bestandteile der Schicht (10) in stöchiometrischem Verhältnis vorliegen und die vom Gefäß (4) aufsteigenden Partikel (45) vor dem Abscheiden auf dem Substrat (1) eine Plasmazone (35) durchdringen. The invention relates to a method for depositing thin layers (10), which contain or consist of TCO, onto at least one substrate (1), wherein at least one starting material (40) arranged in a container (4) is evaporated in a vacuum chamber (20), the components of the layer (10) being in a stoichiometric ratio and the particles (45) rising from the container (4) prior to depositing on the substrate (1) penetrate a plasma zone (35). L'invention concerne un procédé de dépôt de couches minces (10), qui contiennent des TCO ou sont composées de TCO, sur au moins un substrat (1). Selon l'invention, au moins un matériau de départ (40 se trouvant dans une cuve (4) est vaporisé dans une chambre sous vide (20), les composants de la couche (10) étant présents dans la cuve dans un rapport stœchiométrique et les particules (45) montant de la cuve (4) avant le dépôt sur le substrat (1) traversant une zone plasma (35).