THERMAL MANAGEMENT SYSTEMS AND METHODS FOR WAFER PROCESSING SYSTEMS

A workpiece holder includes a puck having a cylindrical axis, a radius about the cylindrical axis, and a thickness. At least a top surface of the puck is substantially planar, and the puck defines one or more thermal breaks. Each thermal break is a radial recess that intersects at least one of the top surface and a bottom surface of the cylindrical puck. The radial recess has a thermal break depth that extends through at least half of the puck thickness, and a thermal break radius that is at least one-half of the puck radius. A method of processing a wafer includes processing the wafer with a first process that provides a first center-to-edge process variation, and subsequently, processing the wafer with a second process that provides a second center-to-edge process variation that substantially compensates for the first center-to-edge process Selon la présente invention, un porte-pièce comprend un disque ayant un axe cylindrique, un rayon autour de l'axe cylindrique et une épaisseur. Au moins une surface supérieure du disque est sensiblement plane, et le disque définit une ou plusieurs ruptures thermiques. Chaque rupture thermique est un renfoncement radial qui croise la surface supérieure et/ou la surface inférieure du disque cylindrique. Le renfoncement radial possède une profondeur de rupture thermique qui s'étend sur au moins la moitié de l'épaisseur du disque, et un rayon de rupture thermique qui est d'au moins la moitié du rayon du disque. Un procédé de traitement d'une tranche comprend le traitement de la tranche par un premier processus qui fournit une première variation du processus centre vers le bord, et, par la suite, le traitement de la tranche par un deuxième processus qui fournit une deuxième variation du processus centre vers le bord qui compense sensiblement la première variation du processus centre vers le bord.