METHOD FOR DEPOSITING SILICON NITRIDE THIN FILM AT LOW TEMPERATURE

Provided is a method for depositing a silicon nitride thin film at a low temperature, comprising: controlling the temperature of an object stage; mounting a substrate; aerating SiH4, NH3, and N2; providing a radio frequency by a radio frequency system, and depositing a thin film by means of a plasma...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	YU, Peng, DU, Yuanting, LIU, Yijun, LIU, Jingjing, CHANG, Xiaona, SHANG, Qingyan
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Provided is a method for depositing a silicon nitride thin film at a low temperature, comprising: controlling the temperature of an object stage; mounting a substrate; aerating SiH4, NH3, and N2; providing a radio frequency by a radio frequency system, and depositing a thin film by means of a plasma technology; performing after-treatment; and vacuumizing. The method brings a small temperature rise in a deposition process, achieves layered deposition, does not affect the performance of a thin film, and can be used for OLED packaging. L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche mince de nitrure de silicium à basse température, comprenant les étapes consistant à : régler la température d'une platine porte-objet ; monter un substrat ; aérer SiH4, NH3 et N2 ; fournir une radiofréquence par un système radiofréquence, et déposer une couche mince au moyen d'une technologie plasma ; effectuer un post-traitement ; et mettre sous vide. Le procédé entraîne une faible élévation de température dans un processus d